国家知识产权局信息显示，北京铭芯启睿科技有限公司申请一项名为“一种抑制漏电的存储器电路结构”的专利，公开号CN121354607A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供了一种抑制漏电的存储器电路结构，属于半导体存储技术领域，包括：接地电阻切换电路连接于存储阵列的SL读电路接地端，且接地电阻切换电路包含可切换电阻模块；温度检测模块用于检测环境温度并输出控制信号，控制接地电阻切换电路在环境温度达到设定阈值时使SL读电路接地端串接可切换电阻模块，在环境温度低于设定阈值时使SL读电路接地端断开可切换电阻模块并直连接地；参考调整模块连接于存储阵列的参考端，用于在可切换电阻模块串接时同步调整参考端的电流或电压特性；通过串接可切换电阻模块抬高SL电压，使未选中bitcell的VGS或VGD为负值，有效抑制高温漏电。

天眼查资料显示，北京铭芯启睿科技有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本586.6667万人民币。通过天眼查大数据分析，北京铭芯启睿科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息3条，此外企业还拥有行政许可1个。

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作者：情报员